mV, p-p. 0,1 līdz 10 Hz) vienpakāpju Rail-to-Rail operacionālo  pastiprinātāju ar JFET tranzistoriem ieejā, kas nodrošina pikoampēru  ieejas strāvu (<15pA) un novirzes spriegumu <500mV.

Pārskata periodā (01.02.2023. – 31.03.2023.) tika veikta Analog Devices AD820 parauga elektriskās shēmas analīze. Izmērīti tās elektriskie parametri un to robežvērtības. Tika izstrādāta mikroshēmas aRD820 elektriskā shēma, ņemot vērā ražotāja tehnoloģiskos ierobežojumus. Tika izvēlēts mainīt atsevišķus elektriskās shēmas moduļus, salīdzinājumā ar analogu. Piemēram, tika modificēts ieejas modulis  un strāvas avoti. Pārklājumu rezistori tika aizstāti ar jonu implantētajiem (paredzamā precizitāte ±10%). Nobīdes sprieguma (offset voltage) pieskaņošana tiek veikta strāvas spogulī (current mirror). VT2 un VT4 emiteros esošie rezistori 2k samazina nobīdes spriegumu. Tika ņemta vērā pieredze, kas iegūta, izstrādājot aRD824 četru kanālu operacionālo pastiprinātāju. aRD820 elektriskā shēma un tās moduļi tika pārbaudīti, izmantojot elektrisko shēmu datorsimulāciju programmu Microsim 8. Tika izstrādāts tehniskais uzdevums mikroshēmu ražošanai. Dots tehnoloģiskais uzdevums kristāla topogrāfijas izstrādei.

Pārskata periodā (01.04.2023. – 30.06.2023.) tika turpināta aRD820 mikroshēmas tehnoloģiskās un konstrukcijas dokumentācijas izstrāde. Tika izstrādātas prasības mikroshēmu izgatavošanas kvalitātes kontrolei. Tika strādāts pie metodikas aRD820 mikroshēmu elekrisko parametru mērīšanai. Tika izstrādāta integrālo shēmu topoloģijas dokumentācija. Tika iztrādāts detalizēts aRD820 mikroshēmu tehnisko (elektrisko) parametru projekts.