Pētījuma nosaukums: Zema sprieguma un zema trokšņu līmeņa vienpakāpju Rail-to-Rail operacionālā pastiprinātāja tehnoloģijas un mikroshēmas prototipa izpēte un izstrāde
| Pētījuma īstenotājs | Attiecināmās izmaksas, EUR | Publiskais finansējums, EUR |
| RD ALFA MIKROELEKTRONIKAS DEPARTAMENTS AS | 139.500,00 | 91.250,00 |
Pētījuma mērķis
30.06.2023.
Pārskata periodā (01.02.2023. – 31.03.2023.) tika veikta Analog Devices AD820 parauga elektriskās shēmas analīze. Izmērīti tās elektriskie parametri un to robežvērtības. Tika izstrādāta mikroshēmas aRD820 elektriskā shēma, ņemot vērā ražotāja tehnoloģiskos ierobežojumus. Tika izvēlēts mainīt atsevišķus elektriskās shēmas moduļus, salīdzinājumā ar analogu. Piemēram, tika modificēts ieejas modulis un strāvas avoti. Pārklājumu rezistori tika aizstāti ar jonu implantētajiem (paredzamā precizitāte ±10%). Nobīdes sprieguma (offset voltage) pieskaņošana tiek veikta strāvas spogulī (current mirror). VT2 un VT4 emiteros esošie rezistori 2k samazina nobīdes spriegumu. Tika ņemta vērā pieredze, kas iegūta, izstrādājot aRD824 četru kanālu operacionālo pastiprinātāju. aRD820 elektriskā shēma un tās moduļi tika pārbaudīti, izmantojot elektrisko shēmu datorsimulāciju programmu Microsim 8. Tika izstrādāts tehniskais uzdevums mikroshēmu ražošanai. Dots tehnoloģiskais uzdevums kristāla topogrāfijas izstrādei.
Pārskata periodā (01.04.2023. – 30.06.2023.) tika turpināta aRD820 mikroshēmas tehnoloģiskās un konstrukcijas dokumentācijas izstrāde. Tika izstrādātas prasības mikroshēmu izgatavošanas kvalitātes kontrolei. Tika strādāts pie metodikas aRD820 mikroshēmu elekrisko parametru mērīšanai. Tika izstrādāta integrālo shēmu topoloģijas dokumentācija. Tika iztrādāts detalizēts aRD820 mikroshēmu tehnisko (elektrisko) parametru projekts.
31.12.2023.
Pārskata periodā (01.07.2023. – 30.09.2023.) tika pabeigta aRD820 topoloģijas izstrāde un veikta mikroshēmas projektēšanas un tehnoloģiskās dokumentācijas izstrāde. Tika strādāts pie metodikas aRD820 mikroshēmu elekrisko parametru mērīšanai. Tika veikta integrālo shēmu parametru mērīšanas metožu izpēte un izstrāde.
Pārskata periodā (01.10.2023. – 31.12.2023.) tika izstrādāti moduļi mikroshēmu plašu un individuālo mikroshēmu testēšanai. Tika precizēta mikroshēmu ražošanas metodika atbilstoši cenu aptaujā izvēlētā ražotāja tehniskajām iespējām. Tika strādāts pie metodikas aRD820 mikroshēmu elekrisko parametru mērīšanai. Tika veikta integrālo shēmu parametru mērīšanas metožu izpēte un izstrāde. Veikti gatavošanās darbi mikroshēmu plašu testēšanai.
Pētījuma rezultāti
Pārskata periodā (01.04.2024. – 30.06.2024.) tika testētas izgatavotās aRD820 pusvadītāju struktūru plāksnes un korpusos ievietotās mikroshēmas. Testēšana tika veikta normālos (+25°С) un ekstremālos temperatūras režīmos (+125°С un -55°С). Tika izmērīti 23 elektriskie parametru. Rezultātu apkopojums rādīja, ka iegūtās mikroshēmas sasniedz tehniskos parametrus, kuri tika plānoti dotajā projektā, kā arī šie parametri ir līdzvērtīgi Analog Devices AD820 mikroshēmu sniegumu. Piemēram, +25°С temperatūrā ieejas strāva izpilda pieprasīto nosacījumu (<15pA), novirzes spriegums <500 mV, trokšņa līmenis <4 mV p-p (0,1 līdz 10 Hz). Secināms, ka projekta plānotais rezultāts ir sasniegts – ir izstrādāts un testēts operacionālā pastiprinātāja prototips aRD820, kas sasniedz sagaidāmās parametru vērtības.
Projekti
