Pētījuma nosaukums: “Plāno metāla-silicīda klājumu jaunu metožu izpēte integrācijai pusvadītāju struktūrās”

Pētījuma īstenotājs: AS “ALFA RPAR”

Pētījuma īstenošanas laiks: 11.04.2011.-31.12.2014.

Pētījuma budžets | Atbalsta finansējums: EUR 185.762,63 | EUR 108.490,72

Pētījuma mērķi un iegūtie rezultāti:

Saskaņā ar pētījuma mērķi tika veikti pētījumi un izstrādātas tehnoloģijas un paņēmieni, lai ekonomiski un tehnoloģiski izdevīgāk varētu izstrādāt rezistorus, izmantojot plāno metāla-silicīda slāņu tehnoloģiju, integrēšanai pusvadītāju struktūrās.

Pētījuma īsa ieviešanas gaita:

Pētījumi par metāla-silicīda slāni ar mērķi iegūt jaunas zināšanas; Metāla-silicīda slāņa kontaktu izveidošanas tehnoloģijas izpēte ar mērķi iegūt zināšanas par optimālāko starpliku; Integrētā tehnoloģiskā procesa, ar kura palīdzību plānos rezistorus var integrēt pusvadītāju struktūrā bez pārējo elementu parametru pasliktināšanas, izveides iespēju izpēte; Eksperimentālā mikroshēmas parauga izstrāde ar projekta rezultātā iegūto zināšanu par tehnoloģijām un metodēm pielietošanu.

Doktoru skaits pētījumā: 1

Pētījuma ietekme uz uzņēmuma saimniecisko darbību:

Pētniecības projekta ietvaros radies intelektuālais īpašums. Pusvadītāju ražošanas uzņēmums AS “ALFA RPAR” izmanto izstrādāto intelektuālo īpašumu un eksperimentālo mikroshēmu ar rekomendācijām, lai sagatavotu sev piederošās iekārtas ražošanas procesa veikšanai. Pielietojot pētījuma rezultātus, uzsākts nākamais posms– ražošanas infrastruktūras pielāgošana. Šajā gadījumā var paredzēt daudzkārt zemākas investīciju izmaksas infrastruktūras iegādei, kas būtu nepieciešams, ja šāds intelektuālais īpašums tiku iegādāts gatavā veidā.

Pēc intelektuālā īpašuma un zināšanu realizēšanas ražošanā uzņēmums varēs palielināt apgrozījumu un eksportu par EUR 285 000-425 000 gadā.